富士IGBT单管,fuji IGBT单管


	电力电子器件金牌供应商

本公司自产产品

第一类可控硅模块/二极管模块/整流桥

第二类可控硅、二极管分立器件

第三类可控硅触发板和功率单元

第四类电机软启动器

第五类其它配套元器件

1. 可控硅触发脉冲变压器

2. 阻容吸收模块

3. 无感电阻

进口元器件代理

1. IGBT模块

优派克EUPEC 600V-6500V各规格IGBT模块(如BSM、FF、FZ、FP系列)

三菱Mitsubishi CM系列标准IGBT模块、PM系列智能IGBT

东芝TOSHIBA MG系列IGBT模块、MIG系列智能IGBT

西门康SEMIKRON SKM系列600V、1200V、1700V IGBT模块

2. IGBT单管

优派克EUPEC 600V、1200V各种规格IGBT单管

东芝TOSHIBA GT系列900V、1500V IGBT单管

仙童Fairchild SGH、SGL、FGL系列600V、1200V、1500V、1700V IGBT单管

富士FUJI 1MBH、1MBK系列600V、1200V IGBT单管

3. IGBT驱动电路和IGBT驱动板

优派克EUPEC 2ED、6ED系列IGBT驱动板

三菱Mitsubishi IGBT驱动厚膜电路如M57962L、M57962AL、M57959

西门康SEMIKRON SKYPER、SKHI系列IGBT驱动板

富士FUJI EXB841、EXB840

瑞士CONCEPT 1GD、1HD、2SD、6SD系列IGBT驱动板

美国IR IGBT驱动电路 IR2110、IR2130

4. 进口可控硅模块、二极管模块

优派克EUPEC TT、TZ、TD、DT、DD、DZ系列可控硅二极管模块

西门康SEMIKRON SKKT、SKKH、SKKL、SKKD、SKET、SKKE系列可控硅二极管模块

德国IXYS MCC、MCD、MDC可控硅模块；MDD二极管模块；MCO大电流水冷系列

三社SanRex PK、PD、PE、KK系列可控硅模块；DD、KD二极管模块、PWB系列焊机模块

5. 进口可控硅、二极管分立器件

优派克EUPEC T系列可控硅、D系列二极管、DxS系列快速二极管

东芝TOSHIBA SF系列可控硅、SG系列GTO

西门康SEMIKRON SKT系列可控硅，SKN、SKR系列二极管，SKNxF、SKRxF系列快速二极管

西码WESTCODE N系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列快速二极管、SW系列普通二极管

美国IR ST系列可控硅、SD系列二极管

意大利POSEICO AT系列相控可控硅

瑞士ABB 5STP可控硅、5SDD二极管、5SGA系列GTO、5SDF快速二极管

6. 进口单相整流桥、三相整流桥

西门康SEMIKRON SKB、SKD、SKCH、SKDH、SKBT、SKDT系列整流桥

富士FUJI 6RI系列三相桥

德国IXYS VBO、VHF、VUO、VVZ、VGO、VVZF、VTO、VTOF系列整流桥

三社SanRex DF、DWF、DWR、PWB系列整流桥

7. 快恢复二极管

德国IXYS DSEI、DH、MEO、MEE、MEA、MEK系列快恢复二极管

韩国Dawin DW、DA、DB系列快恢复二极管模块

美国安森美Onsem MUR系列快恢复二极管

8. 无感电容

台湾CD MPA系列无感电容

EACO STM系列IGBT直接安装型无感电容

9. 电解电容

美国CDE DCMCE系列电解电容

日立Hatachi HCGFA、HCGF5A系列电解电容


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北京瑞田达代理产品:富士IGBT,fuji IGBT,富士代理

日本富士

1MBK、1MBH系列
600V、1200V IGBT单管

富士电机IGBT单管品质优异，价格低廉，已广泛应用于逆变焊机、UPS、微波炉、电磁炉，逆变电源等领域。具有优良的性价比。

富士电机 UPS 专用 600V IGBT 单管

型号

VCES
(V)

IC (A)
@TC =25 ^oC/100^oC

PC
(Watts)

VCE(sat)
@ Tj =25^oC
Max.(V)

封装

技术资料

1MBK30D-060S
600

50/30

150

2.9

TO247

--

1MBK50D-060S
600

75/50

230

2.9

TO247

--

1MBH50D-060S
600

65/50

200

2.9

TO-3PL

--

1MBH75D-060S
600

83/75

310

2.9

TO-3PL

--

富士电机 IGBT 单管

型号

VCES
(V)

IC (A)
@TC =25 ^oC/100^oC

PC
(Watts)

VCE(sat)
@ Tj =25^oC
Max.(V)

封装

技术资料

1MBH60-100
1000

60

260

3.2

TO-3PL

1MBH60D-100*
1000

60

260

3.2

TO-3PL

富士电机增强型 IGBT 单管

型号

VCES
(V)

IC (A)
@TC =25 ^oC/100^oC

PC
(Watts)

VCE(sat)
@ Tj =25^oC
Max.(V)

封装

技术资料

1MBH50-060
600

82/50

310

3.0

TO-3PL

1MBH50D-060*
600

82/50

310

3.0

1MBH15-120
1,200

26/15

245

3.5

1MBH15D-120*
1,200

26/15

245

3.5

1MBH25-120
1,200

38/25

310

3.5

1MBH25D-120*
1,200

38/25

310

3.5

* 注：型号中“D”表示带反向二极管。增强型中的反向二极管的额定电流与IGBT标称一致，安全区为矩形。